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半导体

明年上半年DRAM继续吃紧 NAND恐供大于求

作者:来源:中国电子报、优发国际_优发娱乐国际_优发国际娱乐官网发布时间:2017-12-27 我要评论
  内存明年市况恐将不同调,DRAM市场仍将持续吃紧,NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。   DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态,产品价格同步高涨,只是业界普遍预期,明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。   内存模块厂创见指出,DRAM 市场供货持续吃紧,价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面,随着 3D NAND Flash 技术日益成熟,生产良率改善,可望填补供货缺口。   另一内存模块厂威刚表示,短期内全球 DRAM 大厂仍理性看待产能议题,并未有大幅破坏产业生态的计划,持续正面看待DRAM市况。   NAND Flash方面,威刚指出,随着供货商3D NAND Flash良率逐步改善,预期明年第1季度整体供需将出现转变。   美光预期,明年DRAM供给将增加约20%,市场环境仍将持续健康;NAND Flash供给则将增加近50%,供给增加幅度将远高于DRAM。
来源:集微网            责任编辑:诸玲珍

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